国产最新光刻机多少纳米 国产光刻机能生产几纳米的芯片

国产最新光刻机多少纳米

从理论上讲，***半导体应达到65纳米左右的水平，但只能使用***设备，不依赖进口，实际应用中能达到什么水平还不得而知，但应该不会超过65纳米。

全球最先进的光刻机已经可以实现5nm的工艺制程了，是荷兰ASML公司的极紫外光刻机EUV，是目前全球最顶尖的光刻机设备。

***目前最先进的光刻机应该是22nm的，它的关键部件可以实现国产化了。但***已经可以实现14nm芯片的量产。

理论上来说，国内的芯片技术，在65nm以上，完全靠自己的技术，不需要依靠国外的技术，但具体能做到哪一步，没人说得准，但肯定是65nm以下。

上海微电子的最先进光刻机是SSA600/20，其分辨率为90nm。上海微电子目前也无法生产ArFi光刻机，仅能生产ArFDry光刻机。

由于ArFDry光刻机的极限工艺为55nm，因此国产光刻机最多只能够支撑55nm工艺，无法实现更高的工艺水平。

***光刻机目前能量产14纳米芯片，技术上可以生产7纳米芯片，但目前良品率不高，无法量产。上海微电子去年28纳米光刻机已经通过技术检测和验证，该光刻机完全可实现28纳米工艺。

通过以上内容可以看出，目前国产光刻机的制程水平主要集中在65纳米至22纳米之间，且在特定情况下能实现14纳米的芯片制造。***光刻机行业在不断追赶国际顶尖水平，不断发展和改进技术，未来也有望在更高的工艺水平上取得突破。